半導體新材料產業園（研發區一期）工程基礎建設告捷，預應力管樁施工圓滿收官！
2025年11月22日下午，隨著半導體新材料產業園（研發區一期）1#樓最后一根預應力混凝土管樁在精密儀器的引導下精準達到設計標高，半導體新材料產業園（研發區一期）項目基礎工程中的關鍵節點——總計545根預應力混凝土管樁施工作業，已全部高標準、零事故完成。這項“深基礎”戰役的圓滿勝利，為承載未來精密研發設備、打造百年工程奠定了堅如磐石的根基。
本次施工的管樁設計標準極高，全部采用直徑500mm的高強預應力混凝土管樁（PHC樁），并根據地質勘察數據與荷載要求，采用了36米、37米超長樁。此類樁型以其卓越的單樁承載力和出色的抗壓性能，能夠有效抵抗地層不均勻沉降，完全滿足后續入駐企業的研發、實驗室對于地基“零震動、微變形”的苛刻要求。
施工期間，項目團隊克服了超長樁體吊裝、定位及垂直度控制等技術難題。通過采用先進的全站儀全程監測與錘擊沉樁工藝，確保了每一根管樁的施工誤差嚴格控制在設計范圍內，最終貫入度等關鍵參數完全符合設計預期，實現了 “毫米級”的精準施工。
“這545根平均深度超過36米的管樁，好比為我們的研發區打下了堅實的‘地下骨架’，它們將穿越軟土層，牢牢扎根于穩定的持力層，確保未來即使是最精密的試驗檢測設備、量測設備，也能在絕對平穩的環境中運行。此次基礎工程的順利完成，標志著項目已安全度過首個重大風險管控期，為后續主體結構施工打開了快速通道。”
半導體新材料產業園研發區一期工程總建筑面積36039.70㎡，未來將聚焦于精細化工、半導體等新材料的研發與攻關。隨著管樁工程的結束，項目建設將全面轉入承臺與底板施工階段。
